Now showing items 1-20 of 53

    • GENERATION OF DEFECTS IN P-N-JUNCTIONS THAT ARE MADE FROM GaAS AND GaAIAS AFTER THE X-RAY IRRADIATION 

      Irkha, V.I.; Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Gorbachev, V.E.; Горбачов, В.Е.; Горбачев, В.Э.; Mikhalaki, V.F.; Міхалакі, В.Ф.; Михалаки, В.Ф. (Національний університет «Львівська політехніка», 2012)
      The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
    • LIGHT-EMITTIN DIODE AS MAGNETIC FIELD SENSOR 

      Irkha, V.I.; Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Gorbachev, V.E.; Горбачов, В.Е.; Горбачев, В.Э.; Vikulin, V.M.; Вікулін, В.М.; Викулин, В.М. (Національний університет «Львівська політехніка», 2016)
      Possibility of creation of sensor of a magnetic field based on a light-emitting diode is being considered.
    • METHOD OF COMPENSATING OF SENSITIVITY DEGRADATION OF MAGNETICALLY OPERATED SWITCHES 

      Irkha, V.I.; Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Gorbachev, V.E.; Горбачов, В.Е.; Горбачев, В.Э. (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011)
      Circuitry of current compensation of degradation of total sensitivity of magnetically operated semiconducting switches during gamma irradiation we suggest.
    • METHODS OF THERMAL-STIMULATED CURRENTS FOR RESEARCH OF IMPURITY SITES AT LIGHT-EMITTING DIODES 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I.; Старенький, І.В.; Старенький, И.В.; Starenkyi, I.V.; Юр ’єва, О.В.; Юрьева, Е.В.; Yurieva, O.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2020)
      Impurity sites in LEDs based on of Gai-xAlxAs for fiber-optic communication lines using thermal-stimulated current method were researched. The causes of the degradation of such diodes are clarified. The installation for ...
    • АКУСТО- И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ 

      Ирха, В.И.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, А.А.; Слободянюк, И.А.; Ірха, В.І.; Марколенко, П.Ю.; Назаренко, О.А.; Слободянюк, І.А.; Irkha, V.I.; Markolenko, P.Yu.; Nazarenko, A.A.; Slobodyanyuk, I.A. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2015)
      Рассматриваются возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличения чувствительности и стабильности в газовых датчиках, работающих на основе акусто – и оптоэлектронных эффектов. Показано, что образование ...
    • ВЛИЯНИЕ Y-ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧАЮЩИХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Хижняк, А.А.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Хижняк, А.А.; Irkha, V.I.; Koval, A.R.; Hizhnjak, A.A. (УНДІРТ, 2002)
      Описываются особенности воздействия ионизирующего излучения на характеристики светоизлучающих диодов на основе GaAlAs. Описуються особливості дії іонізуючого випромінювання на характеристики світловипромінюючих діодів на ...
    • ВЛИЯНИЕ ДВИЖЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ НА СТАБИЛЬНОСТЬ СВЕТОДИОДОВ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I.; Марколенко, П.Ю.; Марколенко, П.Ю.; Markolenko, P.Yu.; Марколенко, Т.Д.; Марколенко, Т.Д.; Markolenko, T.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2020)
      Изучено влияние движения примесных центров на стабильность светоизлучающих диодов на основе GalnAsP и их эффективность. Стабильность и эффективность электролюминесценции светодиодов в основном определяется соотношением ...
    • ВЛИЯНИЕ МЕТАЛЛОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ МДП-СТРУКТУР К ВОДОРОДУ 

      Ирха, В.И.; Викулин, И.М.; Ірха, В.І.; Вікулін, І.М.; Irkha, V.I.; Vikulin, I.M. (ОНАЗ ім. О. С. Попова, 2013)
      Рассматривается возможность использования металлов различной толщины и диэлектриков в МДП-структурах, чувствительных к водороду. Розглядається можливість використання металів різної товщини та діелектриків у МДН-структурах, ...
    • ВЛИЯНИЕ ПЕРЕИЗЛУЧЕНИЯ НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ КВАНТОВОГО ВЫХОДА ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Irkha, V.I.; Koval, A.R. (УНДІРТ, 2002)
      Описываются особенности температурного гашения электролюминесценции светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов. Описуються особливості температурного гасіння електролюмінесценції світловипромінюючих діодів з ...
    • ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ КАК АНАЛИЗАТОРЫ РАЗЛИЧНЫХ ГАЗОВ 

      Ирха, В.И.; Слободянюк, И.А.; Ірха, В.І.; Слободянюк, І.А.; Irkha, V.I.; Slobodyanyuk, I.A. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Показана возможность и перспективность создания волоконно-оптических сенсоров на основе современных достижений в оптоэлектронике, волновой оптике и электроскопии для определения концентрации различных газов в окружающей ...
    • ГЛИБОКІ РІВНІ В P-N-СТРУКТУРАХ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I.; Марколенко, П.Ю.; Марколенко, П.Ю.; Markolenko, P.Yu.; Овдій, А.В.; Овдий, А.В.; Ovdii, A.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2020)
      Досліджувались глибокі рівні в p-n-структурах на основі твердого розчину GaAsP. Знайдено, що розкид ефективності досліджуваних світло діодів (СВД) обумовлений різноманітністю складу GaAsP в активній області. Визначено, що ...
    • ГЛУБОКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ ДЛЯ ВОСП 

      Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2010)
      Изучено влияние глубоких примесных центров в p-n-переходах на основе GaAlАs на эффективность электролюминесценции. Исследовались термостимулированные токи при различных скоростях нагрева p-n-переходов. Обнаружен рост ...
    • ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ДЕТЕКТОРА АММИАКА 

      Батраков, В.В.; Викулин, И.М.; Ирха, В.И.; Коробицын, Б.В.; Батраков, В.В.; Вікулін, І.М.; Ірха, В.І.; Коробіцин, Б.В.; Batrakov, V.V.; Vikulin, I.M.; Irkha, V.I.; Korobitsyn, B.V. (УНДІРТ, 1996)
      В данной статье описан оптоэлектронный газовый детектор аммиака с газочувствительной пленкой на основе солей фталевой кислоты, являющейся модулятором света. Получены временные характеристики газочувствительной пленки, ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaAIAs ДЛЯ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА 

      Ирха, В.И.; Коваль, А.Р.; Ірха, В.І.; Коваль, А.Р.; Irkha, V.I.; Koval, A.R. (УНДІРТ, 2005)
      В работе приводятся исследования деградации многослойных гетероструктур на основе GaAIAs. Испытания проводились при различных величинах тока через образец и температурах 300 + 420° К. Исследовался разогрев активной области ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ GаAlAs – СТРУКТУР 

      Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I.; Марколенко, П.Ю.; Марколенко, П.Ю.; Markolenko, P.Yu. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Проведено исследование деградации многослойных гетероструктур (МГС) на основе GаAlAs под действием γ - излучения. Изучены изменения вольтамперных характеристик МГС, спектров излучения, ваттамперных и вольтваттных характеристик ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТОРОСТРУКТУР ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 

      Ирха, В.И.; Ірха, В.І.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2017)
      Проведено исследование деградации излучающих многослойных гетероструктур под действием g-излучения Co60. Изучены изменения вольтамперных характеристик таких структур, спектро в излучения, ваттамперных и вольтваттных ...
    • ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ОПТИКИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛЕГКИХ ЧАСТИЦ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016)
      Рассматриваются вопросы создания точечных дефектов в кристаллической решетке под действием электронов и экситонов. Показано условия учета таких дефектов в элементах интегральной оптики.
    • ДЕГРАДАЦІЯ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧИХ ДІОДІВ ДЛЯ ВОСП 

      Овдій, А.В.; Овдий, А.В.; Ovdii, A.V.; Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2020)
      Проведено дослідження деградації випромінювання Co60. Вивчені зміни вольтамперних характеристик таких структур, спектрів випромінювання, ватамперних та вольтватних характеристик. Показано, що використання повторного ...
    • ДОСЛІДЖЕННЯ ГЛИБОКИХ РІВНІВ В P-N-СТРУКТУРАХ МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНИХ СТРУМІВ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I.; Марколенко, Т.Д.; Марколенко, Т.Д.; Markolenko, T.D. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2019)
      Досліджувалось існування глибоких рівнів в p-n-структурах методом термостимульованих струмів. Описується методика їх отримування. Показується, що ефективність електролюмінісценції пов’язана із існуванням таких рівнів.
    • ДОСЛІДЖЕННЯ ДОМІШКОВИХ ЦЕНТРІВ У СВІТЛОДІОДАХ МЕТОДОМ ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНИХ СТРУМІВ 

      Ірха, В.І.; Ирха, В.И.; Irkha, V.I.; Юр'єва, О.В.; Юрьева, Е.В.; Yurieva, Ye.V. (ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2020)
      Досліджувались домішкові центри у світло діодах (СВД) на основі GaAlAs для волоконно-оптичних ліній зв’язку методом термостимульованих струмів (ТСС). Вияснялись причини їх деградації. Знайдемо зв’язок в процесі деградації ...